選擇半導體放電管時應注意以下幾點：1。反向擊穿電壓VBR必須大于受保護電路的最大工作電壓。
例如，在POTS應用中，最大振鈴電壓（150V）峰值電壓（150 * 1.41 = 212.2V）和直流偏置峰值（56.6V）之和為268.8V，因此VBR大于268.8V的器件應為選擇。與ISDN應用一樣，最大直流電壓（150V）和最大信號電壓（3V）之和為153V，因此應選擇VBR大于153V的器件。
2.轉角電壓VBO必須小于受保護電路允許的最大瞬時峰值電壓。 3.如果半導體放電管在通過大浪涌電流后自復位，則器件的保持電流IH必須大于系統(tǒng)可提供的電流值。
即：IH（系統(tǒng)電壓/源阻抗）。 4.最大瞬時峰值電流IPP必須大于通信設備標準的規(guī)定值。
例如，F(xiàn)CC Part 68A型的IPP應大于100A; Bellcore 1089的IPP應大于25A。 5.當半導體放電管處于導通狀態(tài)（導通）時，功率P損失應小于其額定功率Pcm，Pcm = KVT * IPP，其中K由短路電流的波形確定。
對于指數(shù)波，方波，正弦波和三角波K值分別為1.00,1.4,2.2和2.8。主要特點：1。
用于高密度表面貼裝的防靜電浪涌吸收器。 2.適用于流動和回流焊接。
3.采用微間隙法，浪涌響應特性優(yōu)異。 4.靜電容量低，可用于高頻電路。
5.高絕緣電阻特性。 6.可以錄音和包裝。
7.符合IEC61000-4-2規(guī)范。